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FDI33N25TU

更新时间： 2024-11-09 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 921K
描述
250V N-Channel MOSFET

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FDI33N25TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.35Is Samacsys：N
其他特性：FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：918 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：33 A最大漏极电流 (ID)：33 A
最大漏源导通电阻：0.094 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：235 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：132 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDI33N25TU 数据手册

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May 2006  
TM  
UniFET  
FDB33N25 / FDI33N25  
250V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 36.8 nC)  
Low Crss ( typical 39 pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
D
G
G
S
D2-PAK  
FDB Series  
I2-PAK  
FDI Series  
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDB33N25 / FDI33N25  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
250  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
33  
20.4  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
132  
±30  
918  
33  
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
23.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
235  
W
- Derate above 25°C  
1.89  
W/°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
0.53  
40  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
RθJA  
RθJA  
*
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB33N25 / FDI33N25 Rev A  
1
www.fairchildsemi.com  
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