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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDJ129P
FDJ129P PDF预览

FDJ129P

更新时间： 2024-11-25 22:29:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 177K
描述
P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET

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FDJ129P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-75包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.2 A最大漏极电流 (ID)：4.2 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDJ129P 数据手册

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July 2004  
FDJ129P  
P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel -2.5V specified MOSFET uses  
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.  
It has been optimized for battery power management  
applications.  
• –4.2 A, –20 V.  
RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = –2.5 V  
• Low gate charge  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• Battery management  
• Load switch  
• Compact industry standard SC75-6 surface mount  
package  
Bottom Drain  
G
S
4
5
6
3
2
1
S
S
S
SC75-6 FLMP  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
–20  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
± 12  
–4.2  
–16  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
1.6  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
77  
RθJA  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.A  
FDJ129P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDJ129P Rev F1 W)  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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FDJ129P 替代型号

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 		P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
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