5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDJ1027P
FDJ1027P PDF预览

FDJ1027P

更新时间： 2024-11-25 22:29:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 135K
描述
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDJ1027P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：FLMP
包装说明：FLMP, SC-75, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.39
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDJ1027P 数据手册

 浏览型号FDJ1027P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDJ1027P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDJ1027P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDJ1027P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDJ1027P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDJ1027P的Datasheet PDF文件第7页 
November 2004  
FDJ1027P  
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench® MOSFET  
General Description  
Features  
This dual P-Channel 1.8V specified MOSFET uses  
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.  
Packaged in FLMP SC75, the RDS(ON) and thermal  
properties of the device are optimized for battery power  
management applications.  
• –2.8 A, –20 V RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 230 mΩ @ VGS = –2.5 V  
RDS(ON) = 390 mΩ @ VGS = –1.8 V  
• Low gate charge, High Power and Current handling  
Applications  
capability  
• Battery management/Charger Application  
• Load switch  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• FLMP SC75 package: Enhanced thermal  
performance in industry-standard package size  
Bottom Drain Contact  
S2  
S1  
4
5
6
3
2
1
G1  
G2  
S2  
S1  
Bottom Drain Contact  
MOSFET Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–20  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
V
±8  
ID  
Drain Current – Continuous  
(Note 1a)  
–2.8  
–12  
A
– Pulsed  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.5  
0.9  
PD  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
80  
5
RθJA  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
.G  
FDJ1027P  
7’’  
8mm  
3000 units  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDJ1027P Rev C1 (W)  
1234567

中文翻译

下载PDF

与FDJ1027P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDJ1027P_06 FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDJ1028N FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
FDJ1028N_06 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
FDJ1028N_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.09ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDJ1032C FAIRCHILD

获取价格

 		Complementary PowerTrench MOSFET
FDJ1032C_08 FAIRCHILD

获取价格

 		Complementary PowerTrench MOSFET
FDJ1032C_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.09ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel
FDJ127P FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel -1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
FDJ128N FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
FDJ129 FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET

与FDJ1027P相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证