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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 947 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 26 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 26 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AB |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDI8442 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDI9406-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
40 V、110 A、1.7 mΩ、TO-262N 沟道 PowerTrench® |
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| FDI9409-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，3.8mΩ |
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| FDJ1027P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDJ1027P_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDJ1028N | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDJ1028N_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDJ1028N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.09ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDJ1032C | FAIRCHILD |
获取价格 |
Complementary PowerTrench MOSFET |
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| FDJ1032C_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Complementary PowerTrench MOSFET |
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