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FDJ1032C

更新时间： 2024-11-22 22:29:35
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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描述
Complementary PowerTrench MOSFET

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FDJ1032C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：FLMP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.8
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 A
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDJ1032C 数据手册

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February 2005  
FDJ1032C  
Complementary PowerTrench® MOSFET  
Features  
General Description  
■ Q1 –2.8 A, –20 V.  
R
R
R
= 160 mΩ @ V = –4.5 V  
These N & P-Channel MOSFETs are produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been  
especially tailored to minimize on-state resistance and yet main-  
tain superior switching performance.  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
= 230 mΩ @ V = –2.5 V  
GS  
= 390 mΩ @ V = –1.8 V  
GS  
■ Q2 3.2 A, 20 V.  
■ Low gate charge  
R
R
= 90 mΩ @ V = 4.5 V  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
= 130 mΩ @ V = 2.5 V  
GS  
These devices are well suited for low voltage and battery pow-  
ered applications where low in-line power loss and fast switch-  
ing are required.  
■ High performance trench technology for extremely low  
R
DS(ON)  
■ FLMP SC75 package: Enhanced thermal performance in  
industry-standard package size  
Applications  
■ DC/DC converter  
■ Load switch  
■ Motor Driving  
Bottom Drain Contact  
S2  
S1  
4
5
6
3
2
1
G1  
Q2 (N)  
G2  
S2  
S1  
Q1 (P)  
Bottom Drain Contact  
Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Q1  
–20  
8
Q2  
20  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
DSS  
12  
GSS  
I
Drain Current  
– Continuous  
– Pulsed  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
–2.8  
–12  
3.2  
12  
D
P
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.5  
0.9  
W
°C  
D
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
J
STG  
Thermal Characteristics  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
80  
5
°C/W  
θJA  
θJC  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDJ1032C Rev. B1(W)  
1
www.fairchildsemi.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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