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FDH444T50A

更新时间： 2023-01-02 17:22:05

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	36K
描述
0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

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FDH444T50A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.74
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	150 V
最大反向电流：	0.05 µA	最大反向恢复时间：	0.06 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

FDH444T50A 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

FDH/FDLL 400 / 444

COLOR BAND MARKING

DEVICE

FDLL400

FDLL444

1ST BAND 2ND BAND

BROWN

VIOLET

GRAY

LL-34

DO-35

THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP

HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION

OF THE CATHODE TERMINAL

High Voltage General Purpose Diode

Sourced from Process 1J.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

W_IV

Working Inverse Voltage

FDH/FDLL 400

FDH/FDLL 444

150

100

200

I_O

Average Rectified Current

DC Forward Current

I_F

500

600

Recurrent Peak Forward Current

i_f

Peak Forward Surge Current

Pulse width = 1.0 second

i_f(surge)

1.0

4.0

Pulse width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-65 to +200

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

175

°C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

FDH/FDLL 400 / 444

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

500

3.33

300

mW/°C

°C/W

R_θ

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDH444T50R	TI	获取价格	0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
FDH444TR	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
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FDH44N50	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，44 A，120 mΩ，TO-
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FDH45N50F-F133	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，45 A，120