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FDH50N50

更新时间： 2024-09-29 22:07:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 223K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FDH50N50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AD包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.28雪崩能效等级（Eas）：1868 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：48 A最大漏极电流 (ID)：48 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：625 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：192 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDH50N50 数据手册

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TM  
UniFET  
FDH50N50 / FDA50N50  
500V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
48A, 500V, R  
= 0.105Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge ( typical 105 nC)  
Low C ( typical 45 pF)  
rss  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
G
!
"
TO-247  
TO-3P  
!
S
G
D
S
FDH Series  
FDA Series  
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDH50N50/FDA50N50  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
500  
V
DSS  
I
- Continuous (T = 25°C)  
48  
30.8  
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
(Note 1)  
(Note 2)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
192  
±20  
1868  
48  
A
V
DM  
V
E
Gate-Source voltage  
GSS  
AS  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
I
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
62.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation  
(T = 25°C)  
- Derate above 25°C  
625  
5
W
W/°C  
D
C
T
T
T
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
°C  
J, STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
--  
Max.  
0.2  
--  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
θJC  
θCS  
θJA  
0.24  
--  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
40  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDH50N50 / FDA50N50 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FDH50N50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDH50N50_F133 FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET
FDH50N50_NL FAIRCHILD

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FDH50N50-F133 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，48 A，105 mΩ，TO-
FDH50SG ADAM-TECH

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 		.050 IDC CONNECTORS DUAL ROW SOCKETS & TRANSITION PLUGS
FDH50T ADAM-TECH

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 		.050 IDC CONNECTORS DUAL ROW SOCKETS & TRANSITION PLUGS
FDH-50-T ADAM-TECH

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 		Board Connector, 50 Contact(s), 4 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal,
FDH50T30 ADAM-TECH

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 		DIP Connector, 50 Contact(s), 4 Row(s), Male, IDC Terminal, Plug
FDH50TGY ADAM-TECH

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 		DIP Connector, 50 Contact(s), 4 Row(s), Male, 0.2 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator
FDH5500_F085 FAIRCHILD

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