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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Lifetime Buy |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.21 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 375 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDH5500_F0850_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UltraFET Power MOSFET |
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| FDH5500-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
55 V、75 A、5.2 mΩ、TO-247N 沟道 UltraFET® |
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| FDH600 | FAIRCHILD |
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Ultra Fast Diodes |
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| FDH600.TR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| FDH600.TR | TI |
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0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| FDH600_97 | FAIRCHILD |
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High Conductance Ultra Fast Diode |
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| FDH600T26A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| FDH600T26A | TI |
获取价格 |
0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| FDH600T26R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
|
| FDH600T50A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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