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FDH700T50R

更新时间： 2024-10-01 15:32:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	43K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 30V V(RRM), Silicon, DO-35,

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技术参数
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FDH700T50R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.75	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.25 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.0009 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

FDH700T50R 数据手册

DISCRETE POWER AND SIGNAL

TECHNOLOGIES

FDH700

ULTRA FAST DIODE

Information Only Data Sheet

FINAL REVERSE CURRENT & FORWARD VOLTAGE LIMITS MIGHT BE INCREASED SLIGHTLY

Absolute Maximum Ratings (note 1) TA = 25^OC unless otherwise noted

Parameter

Value

Units

Storage Temperature

-65 to +200

-65 to +175

250

^OC

Maximum Junction Temperature

Total Power Dissipation at 25^OC

Derate above 25^OC

mW/^OC

1.67

Working Inverse Voltage

DC Forward Current

150

Note 1: These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired

CATHODE

0.500 Minimum

12.70 Typ 1.000

BAND

LOGO

0.090 (2.28) Diameter

0.060 (1.53)

0.022 (0.558) Diameter

0.018 (0.458) Typ 20 mils

0.200 (5.08)

0.120 (3.05)

Electrical Characteristics

TA = 25^OC unless otherwise noted

SYM

B_V

CHARACTERISTICS

MIN

MAX

UNITS

TEST CONDITIONS

Breakdown Voltage

Reverse Leakage

I_R

5.0 uA

I_R

V_R

20 V

20 V T_A= 150^OC

V_F

Forward Voltage

420

520

640

760

810

0.89

500

610

740

900

990

1.25

I_F

10 uA

100 uA

1.0 mA

10 mA

20 mA

50 mA

T_RR

Reverse Recovery Time

Diode Capacitance

900

1.5

I_F= I_R= 10 mA I_RR= 1.0 mA

R_Loop= 100 Ohm

C_T

V_R

0 V, f = 1.0 MHz

FDH700 - Rev. A

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