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FDH45N50F

更新时间： 2024-02-27 15:23:46
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 1085K
描述
500V N-Channel MOSFET, FRFET

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FDH45N50F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AD包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.81雪崩能效等级（Eas）：1868 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：625 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDH45N50F 数据手册

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May 2006  
TM  
UniFET  
FDH45N50F  
500V N-Channel MOSFET, FRFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
45A, 500V, RDS(on) = 0.12Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 105 nC)  
Low Crss ( typical 62 pF)  
Fast switching  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-247  
G
D
S
FDH Series  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDH45N50F  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
500  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
45  
28.4  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
180  
±30  
1868  
45  
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
62.5  
50  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
- Derate above 25°C  
625  
5
W
W/°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
0.2  
--  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
--  
0.24  
--  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
40  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDH45N50F Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567

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FDH45N50F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STW11NK100Z STMICROELECTRONICS

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STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

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与FDH45N50F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDH45N50F_0605 FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET, FRFET
FDH45N50F_08 FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET, FRFET
FDH45N50F_F133 FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET, FRFET
FDH45N50F-F133 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，45 A，120
FDH50G ADAM-TECH

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 		Board Connector, 50 Contact(s), 4 Row(s), 0.2 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulator
FDH50G30 ADAM-TECH

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 		DIP Connector, 50 Contact(s), 4 Row(s), Male, 0.2 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulato
FDH50GGY ADAM-TECH

获取价格

 		DIP Connector, 50 Contact(s), 4 Row(s), Male, 0.2 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator
FDH50N50 FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET
FDH50N50_F133 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FDH50N50_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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