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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> FDH400TR_NL
FDH400TR_NL PDF预览

FDH400TR_NL

更新时间： 2024-11-05 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管高压PC
页数 文件大小 规格书
3页 41K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, LEAD FREE PACKAGE-2

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FDH400TR_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-35包装说明：O-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.46Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

FDH400TR_NL 数据手册

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FDH/FDLL 400  
COLOR BAND MARKING  
DEVICE  
2ND BAND  
1ST BAND  
BROWN  
FDLL400  
VIOLET  
LL-34  
DO-35  
THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP  
HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION  
OF THE CATHODE TERMINAL  
High Voltage General Purpose Diode  
Sourced from Process 1J. See MMBD1401-1405 for characteristics.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
WIV  
150  
200  
500  
600  
V
Working Inverse Voltage  
Average Rectified Current  
DC Forward Current  
FDH/FDLL400  
IO  
mA  
mA  
mA  
IF  
Recurrent Peak Forward Current  
if  
Peak Forward Surge Current  
Pulse width = 1.0 second  
if(surge)  
1.0  
4.0  
A
A
Pulse width = 1.0 microsecond  
Storage Temperature Range  
-65 to +200  
°C  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
175  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
FDH/FDLL 400  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
500  
3.33  
300  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJA  
1997 Fairchild Semiconductor International  
123

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