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FDH444

更新时间： 2023-09-03 20:28:41
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 127K
描述
100V/0.2A小信号通用二极管

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FDH444 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.28配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1最高工作温度：175 °C
最大输出电流：0.2 A最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向恢复时间：0.06 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

FDH444 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Small Signal Diode  
FDH444  
Features  
AXIAL LEAD  
CASE 017AG  
• This is a Pb−Free and Halide Free Device  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
MARKING DIAGRAM  
(Values are at T = 25°C unless otherwise noted.) (Notes 1 and 2)  
A
FD  
H4  
44  
Symbol  
Parameter  
Value  
150  
Unit  
V
V
RRM  
Working Inverse Voltage  
I
Average Rectified Forward Current  
200  
mA  
F(AV)  
I
Non−Repetitive Peak Forward Current  
Pulse Width = 1.0 Second  
Pulse Width = 1.0 microsecond  
FSM  
FDH444 = Specific Device Code  
1.0  
4.0  
A
A
ORDERING INFORMATION  
T
Storage Temperature Range  
−65 to +200  
°C  
°C  
STG  
T
J
Operating Junction Temperature  
175  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
5000 /  
Bulk Bag  
FDH444  
AXIAL LEAD  
(Pb−Free / Halide Free)  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 200_C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications  
involving pulsed or low duty cycle operations.  
10000 /  
Tape & Reel  
AXIAL LEAD  
(Pb−Free / Halide Free)  
FDH444TR  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Value  
500  
Unit  
mW  
P
D
R
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
300  
°C/W  
ꢀ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Values are at T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Symbol  
Parameter  
Breakdown Voltage  
Test Conditions  
Min  
Max  
Unit  
V
R
I
R
= 100 ꢁ A  
150  
−
V
V
F
Forward Voltage  
I = 200 mA  
I = 300 mA  
F
−
−
1.1  
1.2  
V
V
F
I
R
Reverse Current  
V
V
= 100 V  
= 100 V, T = 150°C  
−
−
50  
100  
nA  
ꢁ A  
R
R
A
C
Total Capacitance  
V
= 0, f = 1.0 MHz  
−
−
2.5  
60  
pF  
ns  
T
R
t
rr  
Reverse Recovery Time  
I = I = 30 mA,  
F R  
R = 100 ꢂ ꢃ I 3.0 mA  
L
rr  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1997  
1
Publication Order Number:  
May, 2023 − Rev. 1  
FDH444/D  
 
123

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