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FDD2512

更新时间： 2024-11-17 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 88K
描述
150V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD2512 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：90 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.7 A
最大漏极电流 (ID)：6.7 A最大漏源导通电阻：0.42 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD2512 数据手册

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August 2001  
FDD2512  
150V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. These MOSFETs feature  
faster switching and lower gate charge than other  
MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The  
result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
• 6.7 A, 150 V RDS(ON) = 420 mΩ @ VGS = 10 V  
DS(ON) = 470 mΩ @ VGS = 6 V  
R
• Low gate charge (8nC typical)  
• Fast switching  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
D
D
G
G
S
TO-252  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
150  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
±20  
ID  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1)  
6.7  
20  
42  
PD  
W
Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.8  
1.6  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
−55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.5  
40  
96  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDD2512  
FDD2512  
13’’  
16mm  
2500 units  
FDD2512 Rev B2(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD2512_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 150V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDD25-12D1 CHINFA

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 		DC - DC CONVERTER 20 ~ 30W SINGLE & DUAL OUTPUT
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