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FDD2570

更新时间： 2024-11-17 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 100K
描述
150V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD2570 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：375 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.7 A最大漏极电流 (ID)：4.7 A
最大漏源导通电阻：0.08 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD2570 数据手册

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February 2001  
FDD2570  
150V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers.  
• 4.7 A, 150 V. RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = 6 V  
• Low gate charge  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications.  
• Fast switching speed  
• High performance trench technology for extremely  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
low RDS(ON)  
• High power and current handling capability.  
D
D
G
G
S
TO-252  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
150  
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
ID  
Drain Current – Continuous  
Drain Current – Pulsed  
Maximum Power Dissipation @ TC = 25°C  
@ TA = 25°C  
(Note 1a)  
4.7  
30  
PD  
W
70  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.2  
1.3  
@ TA = 25°C  
°C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
Thermal Characteristics  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
1.8  
96  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1b)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDD2570  
FDD2570  
13’’  
16mm  
2500 units  
FDD2570 Rev C(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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