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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD2572_NL
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FDD2572_NL

更新时间： 2024-11-18 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 242K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE PACKAGE-3

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FDD2572_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.23雪崩能效等级（Eas）：36 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.054 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD2572_NL 数据手册

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September 2002  
FDD2572 / FDU2572  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
150V, 29A, 54mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 45mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 9A  
Qg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
DC/DC converters and Off-Line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 24V and 48V Systems  
High Voltage Synchronous Rectifier  
Direct Injection / Diesel Injection Systems  
42V Automotive Load Control  
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
Formerly developmental type 82860  
Electronic Valve Train Systems  
DRAIN  
(FLANGE)  
D
SOURCE  
DRAIN  
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
GATE  
G
SOURCE  
TO-252AA  
FDD SERIES  
TO-251AA  
FDU SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
150  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 100oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 52oC/W)  
Pulsed  
29  
20  
A
A
ID  
4
Figure 4  
36  
A
mJ  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
135  
W
PD  
0.9  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-251, TO-252  
1.11  
100  
52  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-251, TO-252  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in2 copper pad area  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD2572 / FDU2572 Rev. B  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD2572_SB82094 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDD2572-F085 ONSEMI

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 		150 V、29 A、45 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench®
FDD2582 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66m
FDD2582 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，21A，66mΩ
FDD2582_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 150V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDD25PG1E-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male, Solder Terminal,
FDD25PG1ER-K1019 MOLEX

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