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FDD2572_SB82094

更新时间： 2024-11-18 20:08:27

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
11页	247K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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FDD2572_SB82094 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	29 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	135 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

FDD2572_SB82094 数据手册

September 2002

FDD2572 / FDU2572

N-Channel PowerTrench^®MOSFET

150V, 29A, 54mΩ

Features

Applications

•

r_DS(ON)= 45mΩ (Typ.), V_GS= 10V, I_D= 9A

Q_g(tot) = 26nC (Typ.), V_GS= 10V

Low Miller Charge

•

DC/DC converters and Off-Line UPS

Distributed Power Architectures and VRMs

Primary Switch for 24V and 48V Systems

High Voltage Synchronous Rectifier

Direct Injection / Diesel Injection Systems

42V Automotive Load Control

Low Q_RRBody Diode

UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Qualified to AEC Q101

Formerly developmental type 82860

Electronic Valve Train Systems

DRAIN

(FLANGE)

SOURCE

DRAIN

(FLANGE)

GATE

SOURCE

TO-252AA

FDD SERIES

TO-251AA

FDU SERIES

MOSFET Maximum Ratings T_C= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GS

Parameter

Ratings

150

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

±20

Continuous (T_C= 25^oC, V_GS= 10V)

Continuous (T_C= 100^oC, V_GS= 10V)

Continuous (T_amb= 25^oC, V_GS= 10V, R_θJA= 52^oC/W)

Pulsed

I_D

Figure 4

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)

Power dissipation

Derate above 25^oC

135

P_D

0.9

W/^oC

^oC

T_J, T_STG

Operating and Storage Temperature

-55 to 175

Thermal Characteristics

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance Junction to Case TO-251, TO-252

1.11

100

^oC/W

Thermal Resistance Junction to Ambient TO-251, TO-252

Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in²copper pad area

This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a

copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/

Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.

All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems

certification.

FDD2572 / FDU2572 Rev. B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDD2572-F085	ONSEMI	获取价格	150 V、29 A、45 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench®
FDD2582	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66m
FDD2582	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，21A，66mΩ
FDD2582_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 150V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDD25PG1E-K1019	MOLEX	获取价格	D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male, Solder Terminal,
FDD25PG1ER-K1019	MOLEX	获取价格	D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male, Solder Terminal,
FDD25PG1L-K1019	MOLEX	获取价格	D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male, Solder Terminal,
FDD25PG1LL-K1019	MOLEX	获取价格	D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male, Solder Terminal,
FDD25PG1LR-K1019	MOLEX	获取价格	D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male, Solder Terminal,
FDD25PG1ML-K1019	MOLEX	获取价格	D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male, 0.109 inch Pitch, Solder Terminal, Locking,

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