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FDD2582

更新时间： 2024-11-17 21:55:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
11页 261K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66m

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FDD2582 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：TO-252AA, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
雪崩能效等级（Eas）：59 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A最大漏极电流 (ID)：3.7 A
最大漏源导通电阻：0.066 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：95 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD2582 数据手册

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September 2002  
FDD2582  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
150V, 21A, 66mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 58mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 7A  
Qg(tot) = 19nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
DC/DC converters and Off-Line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 24V and 48V Systems  
High Voltage Synchronous Rectifier  
Direct Injection / Diesel Injection System  
42V Automotive Load Control  
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
Formerly developmental type 82855  
Electronic Valve Train System  
DRAIN  
(FLANGE)  
D
GATE  
G
SOURCE  
TO-252AA  
S
FDD SERIES  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
150  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC = 25 oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 100 oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 52oC/W)  
Pulsed  
21  
15  
A
ID  
3.7  
A
A
Figure 4  
59  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
95  
W
PD  
0.63  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-252  
1.58  
100  
52  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in2 copper pad area  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD2582 Rev. B  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD2582_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 150V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDD25PG1E-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male, Solder Terminal,
FDD25PG1ER-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male, Solder Terminal,
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 		D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male, Solder Terminal,
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