FDB33N25

更新时间： 2024-01-17 16:41:14

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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描述
250V N-Channel MOSFET

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FDB33N25 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.91
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	978778	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	D2PAK?3 (TO?263, 3?LEAD) CASE 418AJ ISSUE C	Samacsys Released Date：	2019-01-23 16:49:52
Is Samacsys：	N	其他特性：	FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	918 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	33 A	最大漏极电流 (ID)：	33 A
最大漏源导通电阻：	0.094 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	235 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	132 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDB33N25 数据手册

Mechanical Dimensions

D2-PAK

www.fairchildsemi.com

FDB33N25 Rev A

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