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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.68 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 918 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 33 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.094 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 132 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB33N25_06 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| FDB33N25TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FDB33N25TM | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250 V，33 A，94 mΩ，D2PA |
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| FDB3500 | DEC |
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35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB3500P | DEC |
获取价格 |
35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB3501 | DEC |
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35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB3501P | DEC |
获取价格 |
35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB3502 | DEC |
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35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB3502 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 75V, 14A, 47mヘ |
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| FDB3502 | ONSEMI |
获取价格 |
75V N沟道PowerTrench® MOSFET |
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