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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDB33N25TM
FDB33N25TM PDF预览

FDB33N25TM

更新时间： 2024-09-22 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 679K
描述
250V N-Channel MOSFET

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FDB33N25TM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：D2PAK-3针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.66
其他特性：FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：918 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：33 A
最大漏极电流 (ID)：33 A最大漏源导通电阻：0.094 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：235 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：132 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB33N25TM 数据手册

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September 2005  
TM  
UniFET  
FDB33N25  
250V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
33A, 250V, R  
= 0.094Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge ( typical 36.8 nC)  
Low C ( typical 39 pF)  
rss  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
{
D
z
ꢀ ꢁ  
z
z
{
G
{
S
G
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDB33N25  
Unit  
V
I
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
250  
V
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
33  
20.4  
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
(Note 1)  
(Note 2)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
132  
30  
A
V
DM  
V
Gate-Source voltage  
GSS  
AS  
E
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
918  
33  
mJ  
A
I
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
23.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation  
(T = 25°C)  
235  
W
D
C
- Derate above 25°C  
1.89  
W/°C  
T
T
T
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
J, STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
L
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
0.53  
40  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
θJC  
*
θJA  
θJA  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB33N25 Rev A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FDB33N25TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB50NF25 STMICROELECTRONICS

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