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Datasheet > 晶体管 > IGBT> FD200R12KE3
FD200R12KE3 PDF预览

FD200R12KE3

更新时间： 2024-09-27 10:31:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 290K
描述
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode

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FD200R12KE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.1Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：295 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X5
元件数量：1端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1040 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：830 ns标称接通时间 (ton)：400 ns
VCEsat-Max：2.15 VBase Number Matches：1

FD200R12KE3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FD200R12KE3  
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und EmCon High Efficiency Diode  
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode  
IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
collector-emitter voltage  
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I†ÒÓÑ  
I†  
200  
295  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
400  
1050  
+/-20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 200 A, V•Š = 15 V  
I† = 200 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,70 2,15  
2,00  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 8,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,0  
5,8  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
1,90  
3,75  
14,0  
0,50  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
I†Š»  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 200 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 3,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,25  
0,30  
µs  
µs  
tÁ ÓÒ  
tØ  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 200 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 3,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,09  
0,10  
µs  
µs  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 200 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 3,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,55  
0,65  
µs  
µs  
tÁ ÓËË  
tË  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 200 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 3,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,13  
0,18  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 200 A, V†Š = 600 V, L» = 80 nH  
V•Š = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓÒ = 3,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
10,0  
15,0  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 200 A, V†Š = 600 V, L» = 80 nH  
V•Š = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓËË = 3,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
24,0  
35,0  
mJ  
mJ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š · di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
800  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT / per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,12 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
0,024  
K/W  
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2008-08-06  
revision: 3.3  
approved by: Wilhelm Rusche  
1
1234567...9

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FD200R12KE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FD150R12RT4 INFINEON

类似代替

 34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode

与FD200R12KE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FD200R12KE3P INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor
FD200R12KF-K ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048
FD200R12KL-K ETC

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FD200R12PT4_B6 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FD200R65KF2-K INFINEON

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 		IGBT-Module
FD200R65KF2KNOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FD200S04A5B VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-2

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