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FD200R65KF2KNOSA1

更新时间： 2024-01-17 13:55:48

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	730K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

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FD200R65KF2KNOSA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
其他特性：	UL APPROVED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	800 A	集电极-发射极最大电压：	6300 V
配置：	COMMON GATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X9
元件数量：	2	端子数量：	9
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	6500 ns
标称接通时间 (ton)：	1120 ns	Base Number Matches：	1

FD200R65KF2KNOSA1 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FD200R65KF2-K

IGBT,ꢀ制动-斩波器ꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper

最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

集电极－发射极电压

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 125°C

T_vj= 25°C

T_vj= -50°C

6500

6300

5700

V_CES

ꢀ

连续集电极直流电流

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_CRM

P_tot

ꢀ

200

400

ꢀ

集电极重复峰值电流

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

总功率损耗

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

3,80

+/-20

ꢀ kW

栅极－发射极峰值电压

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

集电极－发射极饱和电压

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 200 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

4,30 4,90

5,30 5,90

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

栅极阈值电压

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 35,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V, V_CE= 3600V

T_vj= 25°C

6,4

7,0

2,80

2,3

28,0

ꢀ

8,1

µC

Ω

栅极电荷

Gateꢀcharge

ꢀ

内部栅极电阻

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

输入电容

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 6500 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

反向传输电容

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

集电极-发射极截止电流

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

0,2

ꢀ

栅极-发射极漏电流

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

400 nA

µs

开通延迟时间(电感负载)

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 3600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 13 Ω, C_GE= 22,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,75

0,72

ꢀ

µs

上升时间(电感负载)

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 3600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 13 Ω, C_GE= 22,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,37

0,40

µs

t_r

t_{d off}

t_f

关断延迟时间(电感负载)

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 3600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 90 Ω, C_GE= 22,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

5,50

6,00

µs

下降时间(电感负载)

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 3600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 90 Ω, C_GE= 22,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,40

0,50

µs

开通损耗能量ꢀ(每脉冲)

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 200 A, V_CE= 3600 V, L_S= 280 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 13 Ω, C_GE= 22,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

1900

1200

关断损耗能量ꢀ(每脉冲）

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 200 A, V_CE= 3600 V, L_S= 280 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 90 Ω, C_GE= 22,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

短路数据

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 4400 V

I_SC

ꢀ

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

1000

结－外壳热阻

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

33,0 K/kW

K/kW

外壳－散热器热阻

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

25,0

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

在开关状态下温度

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-50

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀDTH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ3.1

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FD200S04A5B	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-2
FD200S04A5F	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-2
FD200S04A5P	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-2
FD200S04A5R	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-2
FD200S06A5B	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 600V V(RRM),
FD200S06A5P	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 600V V(RRM),
FD200S06A5R	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 600V V(RRM),
FD2046	BOTHHAND	获取价格	10 BASE-T, SIL FILTER (WITH 2 COMMON CHOKE)
FD2046LF	BOTHHAND	获取价格	10 BASE-T, SIL FILTER(WITH 2 COMMON CHOKE) APPLY TO GENERIC IC
FD-20A	TDK	获取价格	超高电压陶瓷电容器

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