Datasheet > FD200R12KE3P

FD200R12KE3P

更新时间： 2024-02-08 08:44:37

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
10页	835K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FD200R12KE3P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FD200R12KE3P 数据手册

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-Module

FD200R12KE3P

62mmꢀC-Seriesꢀ模块ꢀ采用第三代沟槽栅/场终止IGBT和HE型发射机控制二极管

62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHEꢀdiode

初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 200A / I_CRM= 400A

典型应用

• 斩波应用

• zh

TypicalꢀApplications

• Chopperꢀapplications

• DC/DCꢀconverter

• Motorꢀdrives

• 电机传动

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• 高短路能力

• Highꢀshort-circuitꢀcapability

• Highꢀdynamicꢀrobustness

• Unbeatableꢀrobustness

• TrenchꢀIGBTꢀ3

• 高动态坚固性

• 无与伦比的坚固性

• 沟槽栅IGBT3

• V_CEsatꢀꢀ带正温度系数

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 2.5ꢀkVꢀ交流ꢀꢀ1分钟ꢀꢀꢀ绝缘

• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ400

• 高爬电距离和电气间隙

• 绝缘的基板

• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• Isolatedꢀbaseꢀplate

• 符合RoHS

• RoHSꢀcompliant

• 标准封装

• Standardꢀhousing

• 预涂导热介质

• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀAKB

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-04

revision:ꢀV2.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与FD200R12KE3P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FD200R12KF-K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HW048
FD200R12KL-K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HW048
FD200R12PT4_B6	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FD200R12PT4B6BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FD200R65KF1-K	ETC	获取价格	SCALE High Voltage IGBT Driver
FD200R65KF1KNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FD200R65KF2-K	INFINEON	获取价格	IGBT-Module
FD200R65KF2KNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FD200S04A5B	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-2
FD200S04A5F	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-2