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FD200R12PT4B6BOSA1

更新时间： 2024-09-27 20:09:55

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英飞凌 - INFINEON		栅
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Insulated Gate Bipolar Transistor

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FD200R12PT4B6BOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.55
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

FD200R12PT4B6BOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FD200R12PT4_B6

EconoPACK™4ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀNTC

EconoPACK™4ꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀandꢀNTC

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 200A / I_CRM= 400A

TypischeꢀAnwendungen

• 3-Level-Applikationen

• AnwendungenꢀmitꢀhohenꢀSchaltfrequenzen

• Chopper-Anwendungen

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• 3-Level-Applications

• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀApplication

• ChopperꢀApplications

• MotorꢀDrives

• SolarꢀAnwendungen

• SolarꢀApplications

• USV-Systeme

• UPSꢀSystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT_vjꢀop

• TrenchꢀIGBTꢀ4

ElectricalꢀFeatures

• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT_vjꢀop

• TrenchꢀIGBTꢀ4

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

• 2,5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• HoheꢀmechanischeꢀRobustheit

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• IsolierteꢀBodenplatte

MechanicalꢀFeatures

• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation

• Highꢀmechanicalꢀrobustness

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• IsolatedꢀBaseꢀPlate

• Standardgehäuse

• StandardꢀHousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀKY

approvedꢀby:ꢀMK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ3.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FD200R65KF1-K	ETC	获取价格	SCALE High Voltage IGBT Driver
FD200R65KF1KNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FD200R65KF2-K	INFINEON	获取价格	IGBT-Module
FD200R65KF2KNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FD200S04A5B	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-2
FD200S04A5F	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-2
FD200S04A5P	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-2
FD200S04A5R	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, DIE-2
FD200S06A5B	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 600V V(RRM),
FD200S06A5P	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 600V V(RRM),

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