5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FD1000FH56 | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1000A, 2800V V(RRM), |
|
| FD1000FH-56 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE |
|
| FD1000FV-70 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800A, 3500V V(RRM), Silicon, PRESSPACK-2 |
|
| FD1000FV-90 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE |
|
| FD1000FX-90 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE |
|
| FD1000R17IE4 | INFINEON |
获取价格 |
PrimePACK™3 Modul und NTC |
|
| FD1000R17IE4D_B2 | INFINEON |
获取价格 |
PrimePACK3 module and NTC |
|
| FD1000R33HE3-K | INFINEON |
获取价格 |
IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode |
|
| FD1000R33HE3KB60BPSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| FD1000R33HE3KBOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
