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FD1000R33HE3KB60BPSA1

更新时间： 2024-11-21 18:26:55

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
12页	1002K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FD1000R33HE3KB60BPSA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	18 weeks
风险等级：	5.59	Base Number Matches：	1

FD1000R33HE3KB60BPSA1 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FD1000R33HE3-K

IHM-Bꢀ模块ꢀ采用第三代高速沟槽栅/场终止IGBT和第三代发射极控制二极管

IHM-BꢀmoduleꢀwithꢀfastꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiode

V_CES= 3300V

I_{C nom}= 1000A / I_CRM= 2000A

典型应用

TypicalꢀApplications

• 斩波应用

• 中压变流器

• 电机传动

• 牵引变流器

• UPS系统

• 风力发电机

• ChopperꢀApplications

• MediumꢀVoltageꢀConverters

• MotorꢀDrives

• TractionꢀDrives

• UPSꢀSystems

• WindꢀTurbines

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• 高直流电压稳定性

• 高短路能力，自限制短路电流

• HighꢀDCꢀStability

• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short

CircuitꢀCurrent

• 低开关损耗

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• LowꢀV_CEsat

• 低ꢀꢀV_CEsat

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• V_CEsatꢀꢀ带正温度系数

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 碳化硅铝（AlSiC）基板提供更高的温度循环能力

• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling

Capability

• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ600

• IHMꢀBꢀ封装

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600

• IHMꢀBꢀHousing

• 绝缘的基板

• IsolatedꢀBaseꢀPlate

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀSB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-12-11

revision:ꢀ3.1

approvedꢀby:ꢀDTS

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