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FCH20B10

更新时间： 2024-01-24 02:04:03

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NIEC		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
6页	59K
描述
Schottky Barrier Diode

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FCH20B10 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.76
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.91 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	180 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

FCH20B10 数据手册

SBD T y p e : FCH20B10

OUTLINE DRAWING

FEATURES

*TO-220AB Case

*Fully Molded

*Dual Diodes – Cathode Common

*Low Forward Voltage Drop

*High Surge Capability

*Tj=150 °C operation

Maximum Ratings

Approx Net Weight: 1.75g

FCH20B10

Rating

Symbol

V_RRM

I_O

I_F(RMS)

I_FSM

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

100

50 Hz Full Sine Wave

Resistive Load

Average Rectified Output Current

RMS Forward Current

Tc=105°C

22.2

50Hz Full Sine Wave ,1cycle

Non-repetitive

Surge Forward Current

180

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

Mounting torque

T_jw

T_stg

Ftor

-40 to +150

recommended torque = 0.5

°C

N•m

Electrical • Thermal Characteristics

Characteristics

Peak Reverse Current

Symbol

I_RM

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

per Arm

Tj= 25°C, I_FM= 10 A

per Arm

Peak Forward Voltage

Thermal Resistance

V_FM

0.91

Rth(j-c) Junction to Case

Rth(c-f) Cace to Fin

2.3 °C /W

1.5 °C /W

12 3 4 5 6

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