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FCH20U10

更新时间： 2024-01-19 13:02:48

品牌	Logo	应用领域
NIEC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
1页	296K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon

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FCH20U10 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

FCH20U10 数据手册

20A Avg.

100 Volts

SBD

FCH20U10

■最大定格ꢀMaximum Ratings

■

OUTLINE DRAWING(mm)

Item

Symbol

V_RRM

I_O

Conditions

100

Tc＝120℃

22.2

Unit

く

り

返

し

ピ

ー

ク

逆

電

圧

流

Repetitive Peak Reverse Voltage

平

均

整

流

電

50Hz、正弦全波通電抵抗負荷

50Hz Full Sine Wave Resistive Load

Average Rectified Forward Current

実

効

順

電

I_F(RMS)

I_FSM

R.M.S. Forward Current

サ

ー

ジ

順

電

50Hz正弦全波，１サイクル，非くり返しꢀ

50Hz Full Sine Wave,1cycle, Non-repetitive

180

Surge Forward Current

動

作

接

合

温

度範囲

T_jw

－40～＋150

℃

Operating Junction Temperature Range

保

存

温

度

範

囲

T_stg

F_tor

－40～＋150

℃

Storage Temperature Range

締

付

ト

ル

ク

推奨値

Recommended Value

0.5

N･m

Mounting torque

■APPROX. NET WEIGHT:2.20g

■電気的・熱的特性ꢀElectrical/Thermal Characteristics

Item

Symbol

I_RM

Conditions

Min.

－

Typ. Max. Unit

ピ

ー

ク

逆

電

流

圧

一素子あたりꢀ

Per Diode

－

T_j＝25℃, V_RM＝V_RRM

Peak Reverse Current

ピ

ー

ク

順

T_j＝25℃, I_FM＝10 A, ^{一素子あたりꢀ}

V_FM

－

0.88

1.5

Peak Forward Voltage

Per Diode

接合部･ケース間

Junction to Case

R_th(j-c)

R_th(c-f)

－

℃/W

熱

抵

抗

Thermal Resistance

ケース･フィン間

Case to Fin

－

■定格・特性曲線

FIG.1

FIG.2

FIG.3

FIG.4

FIG.5

FIG.6

FIG.7

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