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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 1.55 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 861 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.126 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 216 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 75 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FCH30A03L | NIEC |
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Schottky Barrier Diode |
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| FCH30A03L | KYOCERA AVX |
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Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| FCH30A04 | NIEC |
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Schottky Barrier Diode |
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| FCH30A06 | NIEC |
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Schottky Barrier Diode |
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| FCH30A09 | NIEC |
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Schottky Barrier Diode |
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| FCH30A10 | NIEC |
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Schottky Barrier Diode |
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| FCH30A10 | KYOCERA AVX |
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Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| FCH30A15 | NIEC |
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Schottky Barrier Diode |
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| FCH30A15 | KYOCERA AVX |
获取价格 |
Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| FCH30B03L | NIEC |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
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