FCH47N60F

更新时间： 2024-09-17 03:36:19

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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描述
600V N-Channel MOSFET

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FCH47N60F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.15	雪崩能效等级（Eas）：	1800 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A	最大漏极电流 (ID)：	47 A
最大漏源导通电阻：	0.073 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	417 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	141 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FCH47N60F 数据手册

May 2006

SuperFET^TM

FCH47N60F

600V N-Channel MOSFET

Features

Description

•

650V @T_J= 150°C

SuperFET^TMis, Farichild’s proprietary, new generation of high

voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge

balance mechanism for outstanding low on-resistance and

lower gate charge performance.

Typ. R_DS(on)= 0.062Ω

Fast Recovery Type ( t_rr= 240ns)

Ultra Low Gate Charge (typ. Q_g= 210nC)

Low Effective Output Capacitance (typ. C_osseff. = 420pF)

100% avalanche tested

This advanced technology has been tailored to minimize

conduction loss, provide superior switching performance, and

withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy.

Consequently, SuperFET is very suitable for various AC/DC

power conversion in switching mode operation for system

miniaturization and higher efficiency.

TO-247

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

FCH47N60F

Unit

V_DSS

Drain-Source Voltage

Drain Current

600

I_D

- Continuous (T_C= 25°C)

- Continuous (T_C= 100°C)

29.7

(Note 1)

I_DM

Drain Current

- Pulsed

141

± 30

1800

V_GSS

E_AS

I_AR

Gate-Source voltage

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

P_D

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

41.7

V/ns

Power Dissipation

(T_C= 25°C)

417

- Derate above 25°C

3.33

W/°C

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

300

°C

Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,

1/8” from Case for 5 Seconds

°C

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

0.3

Unit

°C/W

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Case-to-Sink

0.24

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

41.7

FCH47N60F Rev. B

www.fairchildsemi.com

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FCH47N60F_13	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel SuperFET FRFET MOSFET
FCH47N60F_F133	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel SuperFET FRFET MOSFET
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FCH47N60-F133	FAIRCHILD	获取价格	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION
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FCH47N60F-F133	FAIRCHILD	获取价格	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION
FCH47N60F-F133	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，FRFET®， 600 V，47 A，7
FCH47N60N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET

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