是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 0.77 |
Samacsys Description: | FQD11P06TM P-Channel MOSFET, 9.4 A, 60 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor | 雪崩能效等级(Eas): | 160 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.4 A |
最大漏极电流 (ID): | 9.4 A | 最大漏源导通电阻: | 0.185 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 38 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 37.6 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FQD11P06TM | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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FQD11P06TM | ONSEMI | 功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-9.4 A,185 mΩ,DPAK |
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FQD11P06TM_SB82077 | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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FQD1200MK5 | NXP | Hybrid analog/digital video module |
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FQD12N20 | FAIRCHILD | 200V N-Channel MOSFET |
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FQD12N20L | FAIRCHILD | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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