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F475R07W2H3B51BOMA1

更新时间： 2024-09-18 21:18:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 912K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28

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F475R07W2H3B51BOMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：MODULE-28Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.79
其他特性：UL APPROVED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：650 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-XUFM-X28
元件数量：4端子数量：28
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：300 ns标称接通时间 (ton)：45 ns
Base Number Matches：1

F475R07W2H3B51BOMA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
F4-75R07W2H3_B51  
EasyBRIDGEꢀModulꢀmitꢀCoolMOSꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC  
EasyBRIDGEꢀmoduleꢀwithꢀCoolMOSꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
J
VCES = 650V  
IC nom = 75A / ICRM = 150A  
TypischeꢀAnwendungen  
TypicalꢀApplications  
• SolarꢀAnwendungen  
• SolarꢀApplications  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• ErhöhteꢀSperrspannungsfestigkeitꢀaufꢀ650V  
• NiedrigesꢀVCEsat  
ElectricalꢀFeatures  
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀtoꢀ650V  
• LowꢀVCEsat  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen  
• Al2O3ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance  
Widerstand  
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor  
• PressFITꢀVerbindungstechnik  
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor  
• PressFITꢀContactꢀTechnology  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀMB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-10-15  
revision:ꢀ2.0  
approvedꢀby:ꢀAKDA  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
F475R07W2H3B51BPSA1 INFINEON

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