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F475R07W2H3B51BPSA1

更新时间： 2024-09-18 19:52:27

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
14页	906K
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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F475R07W2H3B51BPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	14 weeks
风险等级：	5.65	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

F475R07W2H3B51BPSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

F4-75R07W2H3_B51

EasyBRIDGEꢀModulꢀmitꢀCoolMOSꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

EasyBRIDGEꢀmoduleꢀwithꢀCoolMOSꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 650V

I_{C nom}= 75A / I_CRM= 150A

TypischeꢀAnwendungen

TypicalꢀApplications

• SolarꢀAnwendungen

• SolarꢀApplications

ElektrischeꢀEigenschaften

• ErhöhteꢀSperrspannungsfestigkeitꢀaufꢀ650V

• NiedrigesꢀV_CEsat

ElectricalꢀFeatures

• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀtoꢀ650V

• LowꢀV_CEsat

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• Al₂O₃Substrat mit kleinem thermischen

• Al₂O₃ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance

Widerstand

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• PressFITꢀVerbindungstechnik

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• PressFITꢀContactꢀTechnology

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-10-15

revision:ꢀ2.0

approvedꢀby:ꢀAKDA

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

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