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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 | 针数： | 25 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.13 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 824222 |
| Samacsys Pin Count： | 31 | Samacsys Part Category： | Transistor IGBT |
| Samacsys Package Category： | Other | Samacsys Footprint Name： | F4-75R06W1E3-1 |
| Samacsys Released Date： | 2020-03-28 23:42:51 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X11 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 11 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 275 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 330 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 45 ns | VCEsat-Max： | 1.9 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| F4-75R07W1H3_B11A | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| F475R07W1H3B11ABOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| F475R07W2H3B51BOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28 |
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| F475R07W2H3B51BPSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| F4-75R12KS4 | EUPEC |
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IGBT-inverter |
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| F4-75R12KS4 | INFINEON |
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EconoPACK™ 2 1200V 四单元 IGBT 模块，采用支持高频开关的第二代快速 |
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| F4-75R12KS4_B11 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PA |
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| F475R12KS4B11BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PA |
|
| F4-75R12MS4 | INFINEON |
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EconoDUAL?2 Modul mit schnellem IGBT2 für hoc |
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| F4766 | LITTELFUSE |
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