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FLL1200IU-3

更新时间： 2024-01-26 16:58:09
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页数 文件大小 规格书
4页 106K
描述
L-Band High Power GaAs FET

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FLL1200IU-3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
最大漏极电流 (ID)：30 AFET 技术：JUNCTION
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

FLL1200IU-3 数据手册

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FLL1200IU-3  
L-Band High Power GaAs FET  
FEATURES  
• Push-Pull Configuration  
• High Power Output: 120W (Typ.)  
• High PAE: 44%.  
• Broad Frequency Range: 2400 to 2500 MHz.  
• Suitable for class AB operation.  
DESCRIPTION  
The FLL1200IU-3 is a 120 Watt GaAs FET that employs a push-pull design that  
offers ease of matching, greater consistency and a broader bandwidth for high  
power L-band amplifiers. This product is targeted to reduce the size and  
complexity of highly linear, high power base station transmitting amplifiers.  
This new product is uniquely suited for use in Wireless Local Loop (WLL) base  
station amplifiers as it offers high gain, long term reliability and ease of use.  
APPLICATIONS  
• Solid State Base-Station Power Amplifier.  
• WLL Communication Systems.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Rating  
Unit  
15  
-5  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
V
V
V
V
DS  
GS  
Tc = 25°C  
187.5  
P
W
°C  
°C  
T
T
stg  
-65 to +175  
+175  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 12 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 156.0mA and -57.6mA respectively with  
gate resistance of 10Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limits  
Typ.  
Item  
Drain Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
= 5V, V = 0V  
I
A
S
V
-
-
48  
-
-
DS  
GS  
DSS  
= 5V, I = 28.8A  
Transconductance  
gm  
24  
DS  
DS  
Pinch-Off Voltage  
V
p
V
I
= 5V, I = 2.88A  
-1.0  
-5  
-2.0 -3.5  
DS  
DS  
V
GSO  
= -2.88mA  
Gate-Source Breakdown Voltage  
-
-
-
V
dBm  
dB  
GS  
P
out  
Output Power  
Linear Gain  
49.8 50.8  
V
DS  
= 12V  
f = 2.5 GHz  
= 5.0A  
10.0  
GL  
11.0  
20  
-
I
DS  
-
-
-
30  
-
A
Drain Current  
I
Pin = 41.0dBm  
DSR  
η
add  
44  
%
Power-Added Efficiency  
Thermal Resistance  
CASE STYLE: IU  
Note 1  
Channel to Case  
0.6  
0.8  
°C/W  
R
th  
Note 1: The device shall be measured at a constant V  
condition.  
GS  
Edition 1.4  
December 1999  
1
1234

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