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ESJA53-18AT

更新时间: 2024-01-01 23:07:59
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其他 - ETC 二极管高压
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7页 151K
描述
HIGH VOLTAGE GP DIODE

ESJA53-18AT 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.76
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.005 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:18000 V最大反向恢复时间:0.08 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

ESJA53-18AT 数据手册

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