5秒后页面跳转
ESJA57-03A PDF预览

ESJA57-03A

更新时间: 2024-01-31 01:30:58
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 整流二极管高压
页数 文件大小 规格书
8页 141K
描述
High Voltage Silicon Diode

ESJA57-03A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.84
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.005 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:3000 V
最大反向恢复时间:0.08 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

ESJA57-03A 数据手册

 浏览型号ESJA57-03A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ESJA57-03A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ESJA57-03A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ESJA57-03A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ESJA57-03A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ESJA57-03A的Datasheet PDF文件第7页 

与ESJA57-03A相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
ESJA57-03AT ETC HIGH VOLTAGE GP DIODE

获取价格

ESJA57-04 FUJI High Voltage Silicon Diode

获取价格

ESJA57-04A FUJI High Voltage Silicon Diode

获取价格

ESJA57-04A KEMET 5.0mA 4.0kV 80nS Fast Recovery High Voltage Silicon Rectifier Diode

获取价格

ESJA57-04A NJSEMI Diode Switching 4KV 0.005A 2-Pin Lead-10

获取价格

ESJA57-04AT ETC HIGH VOLTAGE GP DIODE

获取价格