是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 20 V | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 0.5 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 100 °C | 最大输出电流: | 0.005 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 6000 V |
最大反向恢复时间: | 0.1 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
ESJA54-08 | FUJI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 8000V V(RRM), Silicon |
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ESJA54-08A | EXAR | 5.0mA 8.0kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode |
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ESJA54-08A | HVGT | 8.0kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES |
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ESJA54-08A | FUJI | High Voltage Silicon Diode |
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ESJA54-08A | SUNMATE | High voltage diode High voltage diode 6kv-8kv |
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ESJA54-08AT | ETC | HIGH VOLTAGE GP DIODE |
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