5秒后页面跳转
ESJA53-24 PDF预览

ESJA53-24

更新时间: 2024-02-07 17:49:09
品牌 Logo 应用领域
FRONTIER 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 61K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, Silicon

ESJA53-24 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.76
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:135 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.005 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.1 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

ESJA53-24 数据手册

  

与ESJA53-24相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ESJA54-04 SUNMATE

获取价格

High voltage diode High voltage diode 5kV and below
ESJA54-04A SIPEX

获取价格

5.0mA 4.0kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode
ESJA54-04A HVGT

获取价格

4.0kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES
ESJA54-06 FUJI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 6000V V(RRM), Silicon
ESJA54-06A HVGT

获取价格

6.0kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES
ESJA54-06A EXAR

获取价格

5.0mA 6.0kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode
ESJA54-06A SUNMATE

获取价格

High voltage diode High voltage diode 6kv-8kv
ESJA54-08 FUJI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 8000V V(RRM), Silicon
ESJA54-08A EXAR

获取价格

5.0mA 8.0kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode
ESJA54-08A HVGT

获取价格

8.0kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES