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ESJA57-03

更新时间: 2024-02-04 01:17:08
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 整流二极管高压
页数 文件大小 规格书
8页 141K
描述
High Voltage Silicon Diode

ESJA57-03 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.84
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.005 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:3000 V
最大反向恢复时间:0.08 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

ESJA57-03 数据手册

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