生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.84 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 24 V | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 0.5 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 120 °C |
最大输出电流: | 0.005 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 6000 V |
最大反向恢复时间: | 0.08 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ESJA58-06AT | ETC |
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HIGH VOLTAGE GP DIODE | |
ESJA58-08 | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 8000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
ESJA58-08A | HVGT |
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8.0kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES | |
ESJA58-08A | FUJI |
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High Voltage Silicon Diode | |
ESJA58-08A | YAMAICHI |
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5.0mA 8.0kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode | |
ESJA58-08A | SUNMATE |
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High voltage diode High voltage diode 6kv-8kv | |
ESJA58-08AT | ETC |
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HIGH VOLTAGE GP DIODE | |
ESJA59-10 | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 10000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
ESJA59-10A | VISHAY |
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5.0mA 10kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode | |
ESJA59-10A | FUJI |
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High Voltage Silicon Diode |