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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 75 V | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 0.5 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最大输出电流： | 0.005 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 20000 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.08 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ESJA53-20A | FUJI |
获取价格 |
High Voltage Silicon Diode |
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| ESJA53-20A | HVGT |
获取价格 |
5mA 20kV HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER DIODES |
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| ESJA53-20A | SUNMATE |
获取价格 |
High voltage diode High voltage diode 18kv-20kv |
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| ESJA53-20AT | ETC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE GP DIODE |
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| ESJA53-22 | FRONTIER |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, Silicon |
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| ESJA53-24 | FRONTIER |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, Silicon |
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| ESJA54-04 | SUNMATE |
获取价格 |
High voltage diode High voltage diode 5kV and below |
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| ESJA54-04A | SIPEX |
获取价格 |
5.0mA 4.0kV 80nS High Voltage Silicon Rectifier Diode |
|
| ESJA54-04A | HVGT |
获取价格 |
4.0kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES |
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| ESJA54-06 | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 6000V V(RRM), Silicon |
|
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