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ES1MM PDF预览

ES1MM

更新时间： 2024-01-09 22:54:36
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2页 42K
描述
Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier

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ES1MM 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.55
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.7 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：1.5 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

ES1MM 数据手册

 浏览型号ES1MM的Datasheet PDF文件第2页 
ES1AM thru ES1MM  
Crownpo Technology  
Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier  
Reverse Voltage 50 to 1000V  
1.0A  
SOD-123  
0.161 (4.1)  
0.146 (3.7)  
Features  
0.012 (0.3) Typ.  
N
Plastic package has Underwriters Laboratories  
Flammability Classification 94V-0  
For surface mount applications  
Low profile package  
Ultrafast recovery time for high efficiency  
Glass passivated chip juctions  
Low Vf, low power loss  
0.071 (1.8)  
0.055 (1.4)  
N
N
N
N
N
N
0.110 (2.8)  
0.094 (2.4)  
High temperature soldering guaranteed:  
0.063 (1.6)  
0.055 (1.4)  
250-C/10 seconds on terminals  
N
Easy pick and place  
0.035 (0.9) Typ.  
0.035 (0.9) Typ.  
Mechanical Data  
Case: JEDEC SOD123/Mini SMA molded plastic  
Mounting Pad Layout  
0.076 (1.93)  
Terminals: Solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
0.071 (1.8)  
Weight: 0.05g  
0.055 (1.4)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25  
-
C ambient temperature unless otherwise specified.  
Symbols  
Units  
Parameter  
ES1AM ES1BM ES1DM ES1GM ES1JM ES1KM ES1MM  
H1  
50  
35  
50  
H2  
100  
70  
H3  
H4  
H5  
H6  
800  
560  
800  
H7  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
V
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
1000  
700  
V
V
V
RRM  
RMS  
Maximum DC blocking voltage  
V
100  
1000  
DC  
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5mm) lead length at T =55-C  
A
I
1.0  
A
F(AV)  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
Typical thermal resistance (1)  
I
30  
32  
A
FSM  
Rθ  
JA  
-
C/W  
Operating junction and storage temperature range T , T  
-55 to +150  
-
C
-C  
J
STG  
Electrical Characteristics Ratings at 25  
-
C ambient temperature unless otherwise specified.  
Symbols ES1AM ES1BM ES1DM ES1GM ES1JM ES1KM ES1MM Units  
1.0 1.3 1.7  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A (2)  
V
V
F
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
T = 25  
T =100  
A
-
-
C
C
5.0  
150  
A
I
R
e
A
Maximum reverse recovery time  
t
rr  
50  
75  
ns  
I =0.5A, I =1.0A, I = 0.25A  
F
R
rr  
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz  
C
20  
pF  
J
Notes:  
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375"(9.5mm) lead length  
(2) Pulse test: 300es pulse width, 1% duty cycle  
01-Apr-04  
Document No. 12086  
www.crownpo.com  
12

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