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ES1M-T PDF预览

ES1M-T

更新时间： 2024-11-19 06:36:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
Rectifier Diode,

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ES1M-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.29JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

ES1M-T 数据手册

 浏览型号ES1M-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ES1M-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ES1M-T的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
ES1A  
THRU  
ES1M  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
1 Amp Super Fast  
Recovery  
Features  
x
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Silicon Rectifier  
50 to 1000 Volts  
x
x
High Temp Soldering: 260qC for 10 Seconds At Terminals  
Superfast Recovery Times For High Efficiency  
Maximum Ratings  
x
x
x
Operating Temperature: -50qC to +150qC  
Storage Temperature: -50qC to +150qC  
Maximum Thermal Resistance; 15qC/W Junction To Lead  
DO-214AC  
(HSMA) (High Profile)  
MCC  
Part  
Number  
Maximum  
Recurrent  
Marking Peak Reverse  
Voltage  
Maximum  
RMS  
Voltage  
Maximum  
DC  
Blocking  
Voltage  
50V  
H
Device  
Cathode Band  
J
ES1A  
ES1B  
ES1C  
ES1D  
ES1G  
ES1J  
ES1K  
ES1M  
ES1A  
ES1B  
ES1C  
ES1D  
ES1G  
ES1J  
ES1K  
ES1M  
50V  
100V  
150V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
35V  
70V  
100V  
150V  
105V  
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
200V  
400V  
A
C
600V  
800V  
1000V  
E
D
B
F
G
Electrical Characteristics @ 25qC Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
1.0A  
Ta = 75qC  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.078  
.067  
.002  
---  
MM  
MIN  
Peak Forward Surge  
Current  
Maximum  
Instantaneous  
Forward Voltage  
ES1A-D  
ES1G-J  
ES1K~M  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
IFSM  
30A  
8.3ms, half sine  
DIM  
A
MAX  
.116  
.089  
.008  
.02  
MAX  
2.95  
2.25  
.20  
NOTE  
1.98  
1.70  
.05  
B
C
D
E
---  
.51  
.035  
.065  
.205  
.160  
.100  
.055  
.096  
.224  
.180  
.112  
.89  
1.40  
2.45  
5.69  
4.57  
2.84  
F
1.65  
5.21  
4.06  
2.57  
G
H
J
VF  
.975V  
1.35V  
1.70V  
IFM = 1.0A;  
TJ = 25qC*  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
IR  
5PA  
TJ = 25qC  
0.090”  
100PA TJ = 100qC  
Maximum Reverse  
Recovery Time  
ES1A-D  
0.085”  
Trr  
CJ  
50ns  
75ns  
100ns  
IF=0.5A, IR=1.0A,  
Irr=0.25A  
ES1G-K  
ES1M  
0.070”  
Typical Junction  
Capacitance  
45pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
*Pulse test: Pulse width 200 Psec, Duty cycle 2%  
www.mccsemi.com  
Revision: 7  
2007/06/19  
1 of 4  
1234

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与ES1M-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ES1M-TP MCC

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 		1 Amp Ultra Fast Recovery Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts
ES1PA VISHAY

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 		High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers
ES1PAE3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM),
ES1PB VISHAY

获取价格

 		High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers
ES1PB_11 VISHAY

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 		High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers
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 		High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers
ES1PB-E3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),
ES1PB-E3/85A VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),
ES1PB-HE3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),
ES1PBHE3/84A VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-220AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, S

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