EMD6T2R

更新时间： 2024-11-18 12:54:27

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
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8页	517K
描述
NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

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EMD6T2R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-107
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	1.15	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

EMD6T2R 数据手册

EMD6 / UMD6N / IMD6A

Datasheet

NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

lOutline

EMT6

UMT6

Parameter

V_CEO

I_C

Value

50V

(6)

(5)

(4)

(1)

(2)

(1)

(2)

100mA

4.7kW

(3)

R₁

EMD6

(SC-107C)

UMD6N

SOT-353 (SC-88)

SMT6

Parameter

(4)

(5)

Value

-50V

-100mA

4.7kW

(6)

(3)

V_CEO

I_C

(2)

(1)

IMD6A

R₁

SOT-457 (SC-74)

lFeatures

lInner circuit

1) Both the DTC143T chip and DTA143T chip

in one package.

Collector

(6)

Base

(5)

Emitter

(4)

2) Built-in bias resistors enable the configuration of

an inverter circuit without connecting external

input resistors (see inner circuit).

DTr1

DTr2

3) The bias resistors consist of thin-film resistors

with complete isolation to allow negative biasing

of the input. They also have the advantage of

completely eliminating parasitic effects.

4) Only the on/off conditions need to be set for

operation, making the circuit design easy.

5) Lead Free/RoHS Compliant.

(1)

Emitter

(2)

Base

(3)

Collector

EMD6 / UMD6N

Collector

(4)

Base

(5)

Emitter

(6)

DTr2

DTr1

lApplication

Inverter circuit, Interface circuit, Driver circuit

(3)

Emitter

(2)

Base

(1)

Collector

IMD6A

lPackaging specifications

Package

size

(mm)

Basic

ordering

unit (pcs)

Taping

code

Reel size Tape width

Part No.

Package

Marking

(mm)

EMD6

EMT6

UMT6

SMT6

1616

2021

2928

T2R

180

8,000

3,000

UMD6N

IMD6A

T108

www.rohm.com

2013.05 - Rev.B

1/7

12 3 4 5 6 7 8

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EMD6T2R 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DCX143TH-7	DIODES	功能相似	COMPLEMENTARY NPN/PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与EMD6T2R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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EMD72_16	ROHM	获取价格	Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
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EMD812	ELITE	获取价格	BI-DIRECTIONAL DC MOTOR DRIVER
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EMD9	ROHM	获取价格	Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive)
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EMD9	MCC	获取价格	Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;
EMD9	YANGJIE	获取价格	SOT-563
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