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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> EMD9T2R
EMD9T2R PDF预览

EMD9T2R

更新时间： 2024-11-20 12:26:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 108K
描述
Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive)

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EMD9T2R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-107
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：1.14
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.07 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3/e2
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：TIN/TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

EMD9T2R 数据手册

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Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive)  
EMD9 / UMD9N / IMD9A  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a EMT  
or UMT or SMT package.  
EMD9  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
Inner circuit  
1.2  
1.6  
EMD9 / UMD9N  
(3) (2) (1)  
IMD9A  
(4) (5) (6)  
R1  
R
2
R1  
R2  
Each lead has same dimensions  
DTr1  
DTr1  
DTr2  
DTr2  
ROHM : EMT6  
UMD9N  
R2  
R2  
R1  
R1  
Abbreviated symbol : D9  
R
=10k  
Ω
R
R
=10k  
2
1=47k  
Ω
R
2
1=47k  
Ω
Ω
(4) (5) (6)  
(3) (2) (1)  
Package, marking, and packaging specifications  
1.25  
2.1  
Type  
Package  
EMD9  
EMT6  
D9  
UMD9N  
UMT6  
D9  
IMD9A  
SMT6  
D9  
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
T2R  
TR  
T108  
3000  
8000  
3000  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Limits  
50  
Unit  
V
Abbreviated symbol : D9  
V
CC  
IN  
V
−6 to +40  
70  
V
Input voltage  
IMD9A  
I
O
mA  
mA  
mW  
mW  
°C  
Output current  
Collector current  
I
C (Max.)  
100  
∗
∗
1
2
EMD9, UMD9N  
IMD9A  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
Power dissipation  
Pd  
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
1.6  
2.8  
1
2
120mW per element must not be exceeded. PNP type negative symbols have been omitted.  
200mW per element must not be exceeded. PNP type negative symbols have been omitted.  
∗
∗
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Abbreviated symbol : D9  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
V
I(off)  
I(on)  
−
1.4  
−
−
−
0.1  
−
−
−
0.3  
−
0.3  
0.88  
0.5  
−
V
CC=5V , I  
=0.3V , I  
=5mA , I =0.25mA  
=5V  
CC=50V , V  
=5mA , V =5V  
O
=100μA  
Input voltage  
V
VO  
O=1mA  
Output voltage  
VO(on)  
V
mA  
mA  
−
I
O
I
I
I
−
−
V
I
Input current  
Output current  
I
O(off)  
V
I=0V  
G
I
68  
−
I
O
O
DC current gain  
Transition frequency  
Input resistance  
∗
f
T
250  
−
MHz  
VCE=10V , I  
E
= −5mA , f=100MHz  
R1  
7
10  
13  
kW  
−
−
Resistance ratio  
R2/R1  
3.7  
4.7  
5.7  
−
PNP type negative symbols have been omitted.  
Characteristics of built-in transistor.  
∗
www.rohm.com  
2010.01 - Rev.D  
1/3  
c
○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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EMD9T2R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NSBC114YPDXV6T1G ONSEMI

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UMD9NTR ROHM

功能相似

 Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive)
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