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EMD9

更新时间: 2024-11-06 14:55:43
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ /
页数 文件大小 规格书
4页 992K
描述
SOT-563

EMD9 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
Base Number Matches:1

EMD9 数据手册

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HANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
Transistors (Built-in Resistors)  
Dual Digital Transistors (NPN+PNP)  
EMD9  
FEATURES  
SOT-563  
Two DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a package  
Marking: D9  
DTr1 Absolute maximum ratings (Ta=25)  
R1  
R2  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
VCC  
Limits  
50  
Unit  
V
R2  
R1  
Input voltage  
VIN  
-6~+40  
70  
V
IO  
Output current  
Power dissipation  
mA  
IC(MAX)  
Pd  
100  
150  
mW  
Operation Junction and  
Storage Temperature Range  
-55~+150  
TJ,Tstg  
Electrical characteristics (Ta=25)  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Conditions  
VCC=5V ,IO=100μA  
VI(off)  
VI(on)  
0.3  
Input voltage  
V
1.4  
0.3  
VO=0.3V ,IO=1mA  
IO=5mA, II=0.25mA  
VI=5V  
Output voltage  
Input current  
VO(on)  
II  
0.1  
V
0.88  
0.5  
mA  
μA  
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
IO(off)  
GI  
VCC=50V, VI=0  
VO=5V ,IO=5mA  
68  
7
R1  
10  
4.7  
250  
13  
KΩ  
R2/R1  
fT  
3.7  
5.7  
MHz  
VO=10V ,IO=5mA,f=100MHz  
www.jscj-elec.com  
1
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