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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 85 ns | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.06 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EIC256S08D01-100D | ELMOS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 |
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| EIC2832-2 | EXCELICS |
获取价格 |
2.80-3.20 GHz 2-Watt Internally Matched Power FET |
|
| EIC3135-8 | EXCELICS |
获取价格 |
3.10-3.50 GHz 8W Internally Matched Power FET |
|
| EIC3439-4 | EXCELICS |
获取价格 |
3.40-3.90GHz 4-Watt Internally Matched Power FET |
|
| EIC3439-4NH | EXCELICS |
获取价格 |
3.40-3.90GHz 4-Watt Internally Matched Power FET |
|
| EIC4450-10 | EXCELICS |
获取价格 |
4.40-5.00 GHz 10-Watt Internally Matched Power FET |
|
| EIC4450-10NH | EXCELICS |
获取价格 |
4.40-5.00 GHz 10-Watt Internally Matched Power FET |
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| EIC4450-15 | EXCELICS |
获取价格 |
4.40-5.00GHz 15-Watt Internally Matched Power FET |
|
| EIC4450-18 | EXCELICS |
获取价格 |
4.40-5.00GHz 18-Watt Internally Matched Power FET |
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| EIC4450-4 | EXCELICS |
获取价格 |
4.40-5.00 GHz 4-Watt Internally Matched Power FET |
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