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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 35 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 32KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EIC256S08D01-045D | ELMOS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28 |
|
| EIC256S08D01-055D | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| EIC256S08D01-085D | ELMOS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, CDIP28 |
|
| EIC256S08D01-100D | ELMOS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 |
|
| EIC2832-2 | EXCELICS |
获取价格 |
2.80-3.20 GHz 2-Watt Internally Matched Power FET |
|
| EIC3135-8 | EXCELICS |
获取价格 |
3.10-3.50 GHz 8W Internally Matched Power FET |
|
| EIC3439-4 | EXCELICS |
获取价格 |
3.40-3.90GHz 4-Watt Internally Matched Power FET |
|
| EIC3439-4NH | EXCELICS |
获取价格 |
3.40-3.90GHz 4-Watt Internally Matched Power FET |
|
| EIC4450-10 | EXCELICS |
获取价格 |
4.40-5.00 GHz 10-Watt Internally Matched Power FET |
|
| EIC4450-10NH | EXCELICS |
获取价格 |
4.40-5.00 GHz 10-Watt Internally Matched Power FET |
|
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