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EDI8G32512C25MMC-G

更新时间： 2024-11-16 03:43:39
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WEDC 存储静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 103K
描述
512Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module

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EDI8G32512C25MMC-G 数据手册

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EDI8F32512C  
512Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module  
FEATURES  
DESCRIPTION  
ꢀ
512Kx32 bit CMOS Static  
Random Access Memory  
The EDI8F32512C is a high speed 16 megabit Static RAM  
module organized as 512K words by 32 bits. This module is  
constructed from four 512Kx8 Static RAMs in SOJ packages  
on an epoxy laminate (FR4) board.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Access Times: 15, 20, and 25ns  
Individual Byte Selects  
Fully Static, No Clocks  
TTL Compatible I/O  
Four chip enables (EØ-E3) are used to independently  
enable the four bytes. Reading or writing can be executed on  
individual bytes or any combination of multiple bytes through  
proper use of selects.  
ꢀ
ꢀ
High Density Package  
The EDI8F32512C is offered in 72 pin ZIP and 72 lead SIMM  
packages, which enable 16 megabits of memory to be placed  
in less than 1.3 square inches of board space.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
72 Pin ZIP, No. 173  
72 lead SIMM, No. 174 (Gold Option)  
Common Data Inputs and Outputs  
All inputs and outputs are TTL compatible and operate from  
a single 5V supply. Fully asynchronous circuitry requires no  
clocks or refreshing for operation and provides equal access  
and cycle times for ease of use.  
Single +5V ( 10ꢀ) Supply Operation  
Note: Consult factory for availability of:  
• RoHS compliant products  
Pins PD1- PD4, are used to identify module memory density in  
applications where alternate modules can be interchanged.  
• Vendor source control options  
• Industrial temperature option  
FIG. 1  
Pin Names  
A0-A18  
E0#-E3#  
W#  
Address Inputs  
Chip Enables  
Write Enable  
Output Enable  
Pin Configurations and Block Diagram  
NC  
PD2  
VSS  
PD1  
DQ8  
DQ9  
DQ10  
DQ11  
A0  
1
3
5
7
9
NC  
PD3  
PD0  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
VCC  
A7  
A8  
A9  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
W#  
2
4
6
G#  
8
DQ0-DQ31  
Common Data  
Input/Output  
10  
12  
14  
16  
18  
20  
22  
24  
26  
28  
30  
32  
34  
36  
11  
13  
15  
17  
19  
21  
23  
25  
27  
29  
31  
33  
35  
VCC  
VSS  
NC  
Power (+5V 10ꢀ%  
Ground  
No Connectiona  
A1  
A2  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
VSS  
A0-A18  
W#  
G#  
A15  
E1#  
A14  
E0#  
512K  
E3#  
A17  
G#  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
A3  
A4  
A5  
VCC  
A6  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
A18  
37  
39  
41  
43  
45  
47  
49  
51  
53  
55  
57  
59  
61  
63  
65  
67  
69  
71  
E2# 38  
A16 40  
VSS  
42  
DQ16 44  
DQ17 46  
DQ18 48  
DQ19 50  
A10 52  
A11 54  
A12 56  
A13 58  
DQ20 60  
DQ21 62  
DQ22 64  
DQ23 66  
DQ0-DQ7  
X
8
E0#  
512K  
DQ8-DQ15  
DQ16-DQ23  
DQ24-DQ31  
X
8
E1#  
E2#  
512K  
X
8
VSS  
NC 70  
NC 72  
68  
NC  
512K  
X
8
PD0, PD1, PD3= OPEN  
PD2= VSS  
E3#  
8G32512C Pin Config.  
8G32512C Blk Dia.  
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specifications without notice.  
March 2006  
Rev. 9  
1
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDI8G32512C25MMI WEDC

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 		SRAM,
EDI8G32512C25MMI-G WEDC

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 		512Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module
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