生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, | 针数: | 60 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.82 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 9.5 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 60 |
字数: | 268435456 words | 字数代码: | 256000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256MX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDE2116ABSE | ELPIDA |
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2G bits DDR2 SDRAM | |
EDE2116ABSE-5C-E | ELPIDA |
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2G bits DDR2 SDRAM | |
EDE2116ABSE-6E-E | ELPIDA |
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2G bits DDR2 SDRAM | |
EDE2116ABSE-8G-E | ELPIDA |
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2G bits DDR2 SDRAM | |
EDE2116AEBG | ELPIDA |
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2G bits DDR2 SDRAM | |
EDE2116AEBG-8E-F | ELPIDA |
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2G bits DDR2 SDRAM | |
EDE2504AASE | ELPIDA |
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256M bits DDR2 SDRAM | |
EDE2504AASE-4A-E | ELPIDA |
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256M bits DDR2 SDRAM | |
EDE2504AASE-4C-E | ELPIDA |
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256M bits DDR2 SDRAM | |
EDE2504AASE-5C-E | ELPIDA |
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256M bits DDR2 SDRAM |